[반도체 공학] SRAM과 DRAM의 차이에 대하여

SRAM과 DRAM의 차이

SRAM은 (Static random access memory)의 약자로, 말그대로 정적인 구조의 RAM이라는 뜻입니다. DRAM은 (Dynamic random access memory)의 약자로, 말그대로 동적RAM이라는 의미입니다.

 

DRAM은 캐패시터로 이루어져있는 소자의 집합체로, 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만 결국 축전기가 전자를 누전함으로 기억된 정보를 잃게 됩니다.

 

이를 방지하기 위해 항상 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 되는 것을 일컬어 ‘동적(Dynamic)’이란 명칭이 주어진 것이죠. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속하는 것이 특징입니다.

 

SRAM은 트랜지스터로 이뤄진 소자의 집합체로, 저장되는 각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장되는 형태로 구성됩니다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행하게 되지요. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여섯 개의 트랜지스터를 필요로 합니다.

 

얼핏 들어도 아시겠지만 DRAM은 데이터 유지를 위해서 메모리 자체에 지속적인 전기를 소모하고, 전기가 끊어지거나 약해지면 순간적으로 데이터가 다 날아가버립니다. 하지만 SRAM은 시스템에 전기가 남아있는 한 계속되는 갱신을 하지 않아도 메모리가 날아가거나 하지 않습니다. 또한 트랜지스터 방식을 사용하는 SRAM이 DRAM에 비해서 훨씬 빠른 속도를 자랑합니다.

 

하지만 유지에 들어가는 부품특성과 그 구조 때문에 SRAM의 가격은 DRAM에 비해서 월등히 높습니다. 때문에 SRAM을 DRAM처럼 고용량으로 사용하기는 약간 무리가 있습니다. 때문에 CPU등에서 캐쉬 메모리로 사용되는 경우가 많습니다.

 

DRAM은 성능면에서는 SRAM에 비해서 떨어지지만 적절한 속도와 저렴한 가격, 높은 용량을 무기로 컴퓨터 등에 메인 작업공간으로 주로 사용되고 있습니다.

 

플래시메모리

소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로, 디램과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워 디지털텔레비전·디지털캠코더·휴대전화·디지털카메라·개인휴대단말기(PDA)·게임기·MP3플레이어 등에 널리 이용된다.

 

종류는 크게 저장용량이 큰 데이터저장형(NAND)과 처리속도가 빠른 코드저장형(NOR)의 2가지로 분류된다. 전자는 고집적이 가능하고 핸드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이는데, 2003년 2월 현재 한국의 삼성전자(주)가 세계 시장의 60％를 점유하고 있다.

 

코드저장형은 2002년 기준으로 전체 플래시메모리 시장의 80％를 차지하고 있는 메모리로, 인텔·AMD 등이 시장을 주도하고 있으며, 한국에서도 2003년 1월 128메가의 코드저장형 플래시 메모리 제품을 개발하였다.