전자공학11 반도체 온도에 따른 캐리어 농도, 이동도, 전도도 거동 1. 온도에 따른 캐리어 농도의 거동 100K 이하의 낮은 온도에서는 전자 농도는 온도 감소에 따라 급격하게 감소하여, 0K에서는 0에 접근하고 있다. 이 온도구간에서는 열에너지가 전자를 도너 에어지 준위로부터 전도대로 여기시키기에 충분치 못하다. 그러므로 전자들이 도펀트 원자들에 얼어붙어 있다고 하여 ‘동결 온도 지역’이라고 부른다. 150~475K 사이의 중간 온도에서 재료는 n형을 나타내고, 전자 농도는 일정하게 유지되고, 이것을 ‘외인성 온도 구간’이라 한다. 자유 전자 농도가 도너의 농도와 대략적으로 유사한 값을 보이기 때문에, 실제적으로 모든 도너 원자들은 이온화 된 것이다. 높은 온도구간에서는 온도 증가에 따라 전자 농도가 도너 농도 이상으로 진성 곡선을 따라 급격하게 증가하고 있다. 이 높.. 2021. 7. 3. BJT(Bipolar Junction Transistor) 쉽게 이해하기 1. BJT의 정의 -BJT는 bipolar junction transister 란 말로 쌍극성접합 트랜지스터입니다. 반도체 3개를 붙여서 만든 전류 증폭 소자입니다. 2. BJT 종류 - BJT는 pnp 트랜지스터와 npn트랜지스터가 있습니다. pnp 트랜지스터는 에미터, 콜렉터가 p형 반도체 물질로 구성되어 있고 베이스는 n형 반도체 물질로 구성되어 있습니다. npn 트랜지스터는 pnp 트랜지스터와 반대로 에미터, 콜렉터가 n형 반도체 물질로 구성되어 있고 베이스는 p형 반도체 물질로 구성되어 있습니다. 3. BJT 동작 npn BJT를 올바르게 동작시키기 위해서는 베이스-에미터에 순방향 바이어스 전압을 그리고 베이스-콜렉터에 역방향 바이어스 전압을 걸어줍니다. 먼저 베이스-에미터에 순방향 전압을 걸.. 2021. 5. 26. [반도체 공학] SRAM과 DRAM의 차이에 대하여 SRAM과 DRAM의 차이 SRAM은 (Static random access memory)의 약자로, 말그대로 정적인 구조의 RAM이라는 뜻입니다. DRAM은 (Dynamic random access memory)의 약자로, 말그대로 동적RAM이라는 의미입니다. DRAM은 캐패시터로 이루어져있는 소자의 집합체로, 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만 결국 축전기가 전자를 누전함으로 기억된 정보를 잃게 됩니다. 이를 방지하기 위해 항상 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 되는 것을 일컬어 ‘동적(Dynamic)’이란 명칭이 주어진 것이죠. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속하는 .. 2021. 5. 7. [반도체 공학] 도핑 방법과 PN 접합 (확산법, 이온주입법) 오늘 게시물은 반도체 도핑 방법과 반도체 PN접합입니다. 반도체의 종류 ① 진성 반도체 : 순수한 4가 원소로 이루어진 반도체 ex)Si ② 외인성 반도체 : 4가 원소에 3가 또는 5가 원소를 주입하여 형성된 반도체입니다. 3가 원소가 주입되면 P-type 반도체이고, 5가 원소가 주입되면 N-type 반도체가 됩니다. - P type : 3가 원소로 붕소(B), 알루미늄(Al), 인듐(In), 갈륨(Ga) 등이 있다. 4가 원소에 3가를 치환해주면 여분의 정공이 생겨나게 되므로 다수운반자는 정공이 된다. - N type : 5가 원소로 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb), 비스무트(Bi)) 등이 있다. 4가 원소에 5가를 치환해주면 여분의 전자가 생겨나게 되므로 다수운반자는 전자가 된다. 어떤 .. 2021. 5. 6. 이전 1 2 3 다음